1月10日，上海芯元基宣布在Micro LED微顯示屏方面又取得新突破，成功攻克了像素間距 7.5μm芯片陣列鍵合工藝，實現(xiàn)了0.39英寸單色Micro LED微顯示屏視頻顯示。
據(jù)介紹，本次制作出的顯示模組，像素間距為7.5μm、分辨率為1024*768、顯示面積為0.39英寸，CMOS驅動芯片由北京數(shù)字光芯集成電路設計有限公司提供，模組光電參數(shù)和顯示效果佳。
資料顯示，芯元基成立于2014年，是一家基于第三代半導體氮化鎵（GaN）材料自主研發(fā)、設計、生產(chǎn)藍寶石基GaN高端薄膜結構芯片、Mini/Micro LED芯片的公司，產(chǎn)品主要應用于工業(yè)固化、AR/VR、智能手表、電視、戶外顯示和特殊照明等領域。
據(jù)悉，芯元基在2021年10月份正式進入Micro LED領域，2022年1月份，先后研發(fā)出了16*27微米直顯用薄膜倒裝Micro LED芯片以及適合微顯示的pitch 8μm Micro LED芯片陣列。
2022年7月27日，芯元基突破像素pitch小于4μm的關鍵工藝，成功點亮0.12 inch 、pitch 3.75μm的適合AR眼鏡顯示用的Micro LED芯片陣列。
同年8月29日，芯元基成功點亮InGaN基紅光適合微顯示的pitch 8μm Micro LED芯片陣列。至此，芯元基完成微顯示芯片全彩化方案所需的GRB三種單色光源，且全部是基于InGaN的材料體系。
同年10月13日，芯元基利用現(xiàn)有OLED驅動技術，成功實現(xiàn)了0.41 inch 單色Micro LED微顯示屏視頻顯示。
值得一提的是，芯元基在不斷突破Micro LED微顯示技術的同時，還加速第三代半導體氮化鎵項目的建設。
2020年11月20日，芯元基第三代半導體氮化鎵項目簽約安徽池州高新區(qū)起，項目規(guī)劃用地約100畝，分兩期建設。其中，一期投資2億元，打造一條GaN基DPSS襯底生產(chǎn)線，一條UVA 365nm芯片生產(chǎn)線，并建設配套設施等；二期投資4億元，建設行政、生產(chǎn)一體化廠房及配套。
憑借在Micro LED等領域的優(yōu)勢，芯元基備獲資本青睞。目前，芯元基已獲中微半導體、上海創(chuàng)徒、張江科投、張江高科、浦東科創(chuàng)、上海自貿區(qū)基金等逾億元投資。（LEDinside Mia整理）
